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HMDS以及与HMDS烘箱有何关联

2021-05-14

HMDS的化学名称为六甲基二硅胺或氮烷, 外观是无色透明液体,无悬浮物及机械杂质。含量(%) :≥ 99.0,密 度(P20),g/cm3 : 0.774±0.003 ,折光率 (nD25 ) : 1.408±0.002 ,爆炸下限% :0.8%



HMDS主要用途:

盘尼西林、头孢霉素、氟尿嘧啶及各种青霉素衍生物等

硅藻土、硅石、钛等粉末的表面处理。

半导体工业中光致刻蚀剂的粘结助剂。



下面十大网赌靠谱网址来重点讲下其中一项用途:半导体工业中光致刻蚀剂的粘结助剂。

   先大家都知道,在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。而增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)就可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。



和呈HMDS烘箱的一般工作流程:


先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真牢度达到某一高真空度后,开始充人氮气,充到达到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入 HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。


HMDS与硅片反应机理如图:先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表而生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。



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